Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 60.4k Ohms. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 174W. Délai de coupure tf[nsec.]: 120ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Marquage du fabricant: FGA40N65SMD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 650V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:08