Transistor IGBT BUP313. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-218. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 64A. Courant de collecteur Ic [A]: 32A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 530 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Marquage du fabricant: BUP313. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:53