Transistor canal P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor canal P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.92€
5-24
1.61€
25-49
1.42€
50-99
1.27€
100+
2.45€
Quantité en stock: 28

Transistor canal P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 80A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5500pF. C (out): 1130pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: -. Id (T=100°C): 57A. Id(imp): 320A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Td(off): 165 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Sgs Thomson. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58

STP80PF55
27 paramètres
Id (T=25°C)
80A
Idss (maxi)
80A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
5500pF
C (out)
1130pF
Dissipation de puissance maxi
300W
Id (T=100°C)
57A
Id(imp)
320A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.016 Ohms
Td(off)
165 ns
Td(on)
35 ns
Technologie
STripFETTM II Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
110 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Sgs Thomson