Transistor canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Transistor canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
26.95€
5-9
25.67€
10-19
24.15€
20+
22.77€
Quantité en stock: 22

Transistor canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. C (in): 12pF. C (out): 2210pF. Dissipation de puissance maxi: 890W. Fonction: P-Channel Enhancement Mode. Id (T=100°C): -. Id(imp): 270A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Td(off): 89 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:04

Documentation technique (PDF)
IXTK90P20P
28 paramètres
Id (T=25°C)
90A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier
TO-264 ( TOP-3L )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-264
Tension Vds(max)
200V
C (in)
12pF
C (out)
2210pF
Dissipation de puissance maxi
890W
Fonction
P-Channel Enhancement Mode
Id(imp)
270A
Idss (min)
50uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.044 Ohms
Td(off)
89 ns
Td(on)
32 ns
Technologie
PolarPTM Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
315 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
IXYS