Transistor canal P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Transistor canal P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.91€
5-24
0.79€
25-49
0.69€
50-99
0.61€
100+
0.49€
+50 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Equivalence disponible
Quantité en stock: 72

Transistor canal P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Charge: 19nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -8.8A, -5.6A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 35A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 42W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.28 Ohms. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:19

Documentation technique (PDF)
IRFU9024
37 paramètres
Boîtier
TO-251 ( I-Pak )
Id (T=25°C)
8.8A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-251AA ( I-PAK )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
570pF
C (out)
360pF
Charge
19nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
-8.8A, -5.6A
Dissipation de puissance maxi
42W
Id (T=100°C)
5.6A
Id(imp)
35A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
42W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
0.28 Ohms
Résistance passante Rds On
0.28 Ohms
Td(off)
15 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
-60V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
100 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

Produits équivalents et/ou accessoires pour IRFU9024