Transistor canal P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Transistor canal P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.11€
5-24
0.93€
25-49
0.82€
50-99
0.79€
100+
0.60€
Quantité en stock: 87

Transistor canal P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 340pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id (T=100°C): 2.3A. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFR9220
27 paramètres
Id (T=25°C)
3.6A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier (selon fiche technique)
D-PAK ( TO-252AA )
Tension Vds(max)
200V
C (in)
340pF
C (out)
110pF
Dissipation de puissance maxi
42W
Fonction
rapport dv/dt dynamique, commutation rapide
Id (T=100°C)
2.3A
Id(imp)
14A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Résistance passante Rds On
1.5 Ohms
Td(off)
7.3 ns
Td(on)
8.8 ns
Technologie
Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
2V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
150 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Produit d'origine constructeur
International Rectifier