Transistor canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.03€
5-24
0.87€
25-49
0.77€
50-99
0.67€
100+
0.57€
+50 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Equivalence disponible
Quantité en stock: 211

Transistor canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Charge: 12.7nC. Courant de drain: -11A. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 8A. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 38W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFR9024N
37 paramètres
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Id (T=25°C)
11A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
350pF
C (out)
170pF
Charge
12.7nC
Courant de drain
-11A
Dissipation de puissance maxi
38W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
8A
Id(imp)
44A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
38W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.175 Ohms
Résistance thermique du boîtier
3.3K/W
Td(off)
23 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
-55V
Tension grille-source
20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
47 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

Produits équivalents et/ou accessoires pour IRFR9024N