Transistor canal P IRFR9014TRPBF, D-PAK, TO-252, -60V
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Transistor canal P IRFR9014TRPBF, D-PAK, TO-252, -60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 270pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.6 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFR9014PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:51
IRFR9014TRPBF
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
-60V
Capacité de grille Ciss [pF]
270pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-5.1A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.5 Ohms @ -3.1A
Dissipation maximale Ptot [W]
2.5W
Délai de coupure tf[nsec.]
9.6 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
IRFR9014PBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
11 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)