Transistor canal P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor canal P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.99€
5-24
0.82€
25-49
0.69€
50+
0.62€
Quantité en stock: 35

Transistor canal P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 3.2A. Id(imp): 20A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Td(off): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFR9014
29 paramètres
Id (T=25°C)
5.1A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
270pF
C (out)
170pF
Dissipation de puissance maxi
25W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
3.2A
Id(imp)
20A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.50 Ohms
Td(off)
9.6 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
80 ns
Type de canal
P
Type de transistor
FET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay