Transistor canal P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor canal P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

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Transistor canal P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 22A. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFR5305. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 71ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFR5305
31 paramètres
Id (T=25°C)
31A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
1200pF
C (out)
520pF
Dissipation de puissance maxi
110W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
22A
Id(imp)
110A
Idss (min)
25uA
Marquage sur le boîtier
IRFR5305
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.065 Ohms
Td(off)
39 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET ® Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
71ms
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier