Transistor canal P IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V
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Transistor canal P IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Charge: 23.3nC. Courant de drain: -19A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 14A. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 68W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 2.2K/W. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:50