Transistor canal P IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V

Transistor canal P IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.65€
5-24
2.38€
25-49
2.11€
50-99
1.93€
100+
1.71€
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Transistor canal P IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Id (T=100°C): 42A. Id(imp): 260A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: F4905S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF4905SPBF
44 paramètres
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
-55V
Id (T=25°C)
70A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier (selon fiche technique)
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
3400pF
C (out)
1400pF
Capacité de grille Ciss [pF]
3500pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-64A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ -38A
Dissipation de puissance maxi
200W
Dissipation maximale Ptot [W]
150W
Délai de coupure tf[nsec.]
51 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Fonction
Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible
Id (T=100°C)
42A
Id(imp)
260A
Idss (min)
25uA
Marquage du fabricant
F4905S
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.02 Ohms
Td(off)
61 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
89 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier