Transistor canal P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Transistor canal P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.55€
5-49
1.28€
50-99
1.09€
100+
0.98€
Quantité en stock: 98

Transistor canal P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 510pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 19.1A. Id(imp): 102A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FQB27P06TM
29 paramètres
Id (T=25°C)
27A
Idss (maxi)
10uA
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
1100pF
C (out)
510pF
Dissipation de puissance maxi
120W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
19.1A
Id(imp)
102A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.055 Ohms
Td(off)
30 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
DMOS, QFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
25V
Trr Diode (Min.)
105 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild