Transistor canal P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V

Transistor canal P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V

Quantité
Prix unitaire
5-9
0.14€
10-49
0.12€
50-99
0.10€
100-199
0.0937€
200+
0.0781€
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Quantité en stock: 644
Minimum: 5

Transistor canal P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -25V. Id (T=25°C): 0.46A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. C (in): 63pF. C (out): 34pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 63pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: faible charge d'entrée. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 460mA. Id(imp): 1.5A. Idss (min): 1uA. Information: -. Marquage du fabricant: 304. Marquage sur le boîtier: 304. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Série: -. Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: P. Type de montage: SMD. Type de transistor: MOSFET. Vdss (tension drain à source): -25V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité minimum: 5. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDV304P
48 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Tension drain-source Uds [V]
-25V
Id (T=25°C)
0.46A
Idss (maxi)
10uA
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension Vds(max)
25V
C (in)
63pF
C (out)
34pF
Capacité de grille Ciss [pF]
63pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-0.46A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.87 Ohms @ -0.5A
Dissipation de puissance maxi
0.35W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.35W
Délai de coupure tf[nsec.]
110 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Fonction
faible charge d'entrée
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
460mA
Id(imp)
1.5A
Idss (min)
1uA
Marquage du fabricant
304
Marquage sur le boîtier
304
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Polarité
MOSFET P
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
1.22 Ohms
Spec info
Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V
Td(off)
55 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-1.5V
Tension grille/source Vgs
8V
Type de canal
P
Type de montage
SMD
Type de transistor
MOSFET
Vdss (tension drain à source)
-25V
Vgs(th) max.
1.5V
Vgs(th) min.
0.65V
Produit d'origine constructeur
Fairchild
Quantité minimum
5