Transistor canal P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Id (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 182pF. C (out): 56pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 182pF. Conditionnement: rouleau. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -1.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: 358. Marquage sur le boîtier: 358. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19