Transistor canal P FDD5614P, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 15A, 1uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 759pF. C (out): 90pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 759pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -4.5A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id (T=100°C): 15A. Id(imp): 45A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FDD5614P. Marquage sur le boîtier: FDD5614P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19