Transistor canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.98€
5-24
0.84€
25-49
0.73€
50-99
0.67€
100+
0.57€
+25 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Quantité en stock: 39

Transistor canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. : 'enhanced'. C (in): 2977pF. C (out): 241pF. Charge: 22.2nC. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: -18A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id (T=100°C): 18A. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D409. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 32m Ohms. Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AOD409
38 paramètres
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Id (T=25°C)
26A
Idss (maxi)
5uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
60V
'enhanced'
C (in)
2977pF
C (out)
241pF
Charge
22.2nC
Conditionnement
rouleau
Courant de drain
-18A
Dissipation de puissance maxi
60W
Id (T=100°C)
18A
Id(imp)
60A
Idss (min)
0.003uA
Marquage sur le boîtier
D409
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
30W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
32m Ohms
Td(off)
38 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
-60V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
40 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2500
Vgs(th) max.
2.4V
Vgs(th) min.
1.2V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors