Transistor canal P AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor canal P AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.14€
5-49
0.94€
50-99
0.80€
100+
0.70€
Quantité en stock: 164

Transistor canal P AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 920pF. C (out): 190pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id (T=100°C): 18A. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D405. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 24.5m Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD408. Td(off): 20 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 21.4 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1.2V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AOD405
32 paramètres
Id (T=25°C)
18A
Idss (maxi)
5uA
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
920pF
C (out)
190pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
60W
Id (T=100°C)
18A
Id(imp)
40A
Idss (min)
0.003uA
Marquage sur le boîtier
D405
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
24.5m Ohms
Spec info
transistor complémentaire (paire) AOD408
Td(off)
20 ns
Td(on)
9 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
21.4 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2500
Vgs(th) min.
1.2V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors