Transistor canal N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms, TO-220
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Transistor canal N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms, TO-220.. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: TO-220.. Courant de drain maxi: 70A. Puissance: 125W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 17:24
YJP70G10A
8 paramètres
Tension drain - source (Vds)
100V
Résistance passante Rds On
0.0086 Ohms
Boîtier
TO-220.
Courant de drain maxi
70A
Puissance
125W
Type de canal
N
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
Yangjie Electronic Technology