Transistor canal N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 05:28