Transistor canal N VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 75uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. Dissipation de puissance maxi: 4W. Idss (min): 30uA. Marquage sur le boîtier: S3NV04DP. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS S3NV04DP. Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Trr Diode (Min.): 107ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51