Transistor canal N VNP5N07, TO-220AB, 70V
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Transistor canal N VNP5N07, TO-220AB, 70V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 31W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: VNP5N07-E. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température maxi: +135°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:25
VNP5N07
15 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
70V
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
5A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 2.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
31W
Délai de coupure tf[nsec.]
250 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
VNP5N07-E
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
100 ns
Température maxi
+135°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics