Transistor canal N VNB35N07E, D²-PAK, TO-263, 70V
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Transistor canal N VNB35N07E, D²-PAK, TO-263, 70V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 800 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: VNB35N07-E. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Température maxi: +135°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:02
VNB35N07E
16 paramètres
Boîtier
D²-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
70V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
35A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.028 Ohms @ 18A
Dissipation maximale Ptot [W]
125W
Délai de coupure tf[nsec.]
800 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
VNB35N07-E
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
200 ns
Température maxi
+135°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics