Transistor canal N VNB14N04, D²-PAK, TO-263, 42V
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Transistor canal N VNB14N04, D²-PAK, TO-263, 42V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: VNB14N04. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Température maxi: +135°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:25
VNB14N04
16 paramètres
Boîtier
D²-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
42V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
14A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.07 Ohms @ 7A
Dissipation maximale Ptot [W]
50W
Délai de coupure tf[nsec.]
500 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
VNB14N04
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
120ns
Température maxi
+135°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics