Transistor canal N TSM025NB04LCR, PDFN56, 40V. Boîtier: PDFN56. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6435pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 161A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:52