Transistor canal N TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

Transistor canal N TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
9.53€
5-9
8.68€
10-24
8.16€
25+
7.75€
Quantité en stock: 18

Transistor canal N TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 280pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K20J50D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

Documentation technique (PDF)
TK20J50D
29 paramètres
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.22 Ohms
Boîtier
TO-3PN ( 2-16C1B )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3P
Tension Vds(max)
500V
C (in)
2600pF
C (out)
280pF
Dissipation de puissance maxi
280W
Fonction
Applications de régulateur à découpage
Id(imp)
80A
Marquage sur le boîtier
K20J50D
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
150 ns
Td(on)
100 ns
Technologie
Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1700 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba