Transistor canal N STW20NM50FD, TO-247, 500V

Transistor canal N STW20NM50FD, TO-247, 500V

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Transistor canal N STW20NM50FD, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1380pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: W20NM50FD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

Documentation technique (PDF)
STW20NM50FD
16 paramètres
Boîtier
TO-247
Tension drain-source Uds [V]
500V
Capacité de grille Ciss [pF]
1380pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
20A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.25 Ohms @ 10A
Dissipation maximale Ptot [W]
214W
Délai de coupure tf[nsec.]
30 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
W20NM50FD
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
22 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
5V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics