Transistor canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Transistor canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.81€
5-24
0.68€
25-49
0.59€
50-99
0.53€
100+
0.45€
Quantité en stock: 141

Transistor canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 630mA. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 150pF. C (out): 30pF. Dissipation de puissance maxi: 3.3W. Id(imp): 4A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4NF20L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STN4NF20L
25 paramètres
Id (T=100°C)
630mA
Id (T=25°C)
1A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
1.1 Ohms
Boîtier
SOT-223 ( TO-226 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-223
Tension Vds(max)
200V
C (in)
150pF
C (out)
30pF
Dissipation de puissance maxi
3.3W
Id(imp)
4A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
4NF20L
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
10.4 ns
Td(on)
2 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics