Transistor canal N STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

Transistor canal N STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.72€
5-14
5.06€
15-29
4.68€
30+
4.33€
Quantité en stock: 35

Transistor canal N STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2200pF. C (out): 225pF. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: onduleurs haute fréquence, UPS. Ic(puls): 150A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60VD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(off): 100 ns. Td(on): 31 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 44 ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54

Documentation technique (PDF)
STGW20NC60VD
28 paramètres
Ic(T=100°C)
30A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
C (in)
2200pF
C (out)
225pF
Courant de collecteur
60A
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
200W
Fonction
onduleurs haute fréquence, UPS
Ic(puls)
150A
Marquage sur le boîtier
GW20NC60VD
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Td(off)
100 ns
Td(on)
31 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.8V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2.5V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
3.75V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
5.75V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Trr Diode (Min.)
44 ns
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics