Transistor canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Transistor canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
52.16€
5-9
48.64€
10-19
46.69€
20-39
44.78€
40+
40.75€
Quantité en stock: 14

Transistor canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Tension Vds(max): 500V. Dissipation de puissance maxi: 460W. Fonction: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Isolation électrique: 2500V (AC-RMS). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension grille/source Vgs: ±30V. Tf (type): 38 ns. Tr: 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54

Documentation technique (PDF)
STE53NC50
23 paramètres
Id (T=100°C)
33A
Id (T=25°C)
53A
Idss (maxi)
53A
Résistance passante Rds On
0.07 Ohms
Boîtier
ISOTOP ( SOT227B )
Boîtier (selon fiche technique)
ISOTOP ( SOT227B )
Tension Vds(max)
500V
Dissipation de puissance maxi
460W
Fonction
SMPS POWER MOSFET
Id(imp)
212A
Isolation électrique
2500V (AC-RMS)
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(on)
46 ns
Technologie
PowerMesh II MOSFET
Température de fonctionnement
-65...150°C
Tension grille/source Vgs
±30V
Tf (type)
38 ns
Tr
70 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics