Transistor canal N STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Id (T=100°C): 2.77A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Tension Vds(max): 525V. C (in): 545pF. C (out): 45pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée, faible IDSS. Id(imp): 17.6A. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 5N52K3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de canaux: 1. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Enhancement type. Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30V. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54