Transistor canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Transistor canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.33€
5-49
1.10€
50-99
0.99€
100+
0.90€
Quantité en stock: 1129

Transistor canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 310pF. C (out): 49pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Marquage sur le boîtier: D4NK50Z. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54

Documentation technique (PDF)
STD4NK50ZT4
26 paramètres
Id (T=100°C)
1.9A
Id (T=25°C)
3A
Idss
1uA
Idss (maxi)
3A
Résistance passante Rds On
2.3 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( D-PAK )
Tension Vds(max)
500V
C (in)
310pF
C (out)
49pF
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
HIGH Current, HIGH Speed Switching
Id(imp)
12A
Marquage sur le boîtier
D4NK50Z
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
21 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Trr Diode (Min.)
260 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics