Transistor canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

Transistor canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.36€
5-49
1.13€
50-99
0.95€
100+
0.85€
Quantité en stock: 415

Transistor canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54

Documentation technique (PDF)
STD3NK80ZT4
32 paramètres
Id (T=100°C)
1.57A
Id (T=25°C)
2.5A
Idss (maxi)
50mA
Résistance passante Rds On
3.8 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
800V
C (in)
485pF
C (out)
57pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
70W
Fonction
HIGH Current, HIGH Speed Switching
Id(imp)
10A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
D3NK80Z
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
36ns
Td(on)
17 ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
384 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2000
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics