Transistor canal N STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 90W. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54