Transistor canal N STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

Transistor canal N STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.00€
5-24
0.85€
25-49
0.74€
50-99
0.68€
100+
0.58€
Quantité en stock: 107

Transistor canal N STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54

Documentation technique (PDF)
STD10NF10
29 paramètres
Id (T=100°C)
9A
Id (T=25°C)
13A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.115 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( D-PAK )
Tension Vds(max)
100V
C (in)
470pF
C (out)
70pF
Dissipation de puissance maxi
50W
Fonction
SWITCHING APPLICATION
Id(imp)
52A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
D10NF10
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
32 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
90 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics