Transistor canal N STB12NM50N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 940pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54