Transistor canal N STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 3850pF. C (out): 650pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: applications de commutation, automobile. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 120N4F6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54