Transistor canal N SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 560V. C (in): 750pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 22.8A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 08N50C3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33