Transistor canal N SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V
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3.74€
10+
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Transistor canal N SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V. Boîtier: ITO-220 (PG-TO220FP). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Capacité de grille Ciss [pF]: 790pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 07N60C3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:02
SPA07N60C3XKSA1
16 paramètres
Boîtier
ITO-220 (PG-TO220FP)
Tension drain-source Uds [V]
650V
Capacité de grille Ciss [pF]
790pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
7.3A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.6 Ohms @ 4.6A
Dissipation maximale Ptot [W]
32W
Délai de coupure tf[nsec.]
60 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
07N60C3
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
6 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3.9V
Produit d'origine constructeur
Infineon