Transistor canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Transistor canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
6.82€
5-9
6.20€
10-24
5.46€
25+
5.16€
Quantité en stock: 93

Transistor canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 107pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: -. Dissipation de puissance maxi: 179W. Fonction: S-IGBT rapide en technologie NPT. Ic(puls): 80A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: K20N60. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14

Documentation technique (PDF)
SKW20N60
25 paramètres
Ic(T=100°C)
20A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247 ( AC )
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
C (in)
1100pF
C (out)
107pF
Courant de collecteur
40A
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
179W
Fonction
S-IGBT rapide en technologie NPT
Ic(puls)
80A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Spec info
K20N60
Td(off)
445 ns
Td(on)
36ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.4V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
3V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
5V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Trr Diode (Min.)
300 ns
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies