Transistor canal N SI4532CDY-T1-GE3, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 305/340pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.14W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25/30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4532CDY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:51