Transistor canal N SI4532ADY-T1-E3, SO8, MS-012, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.7A/-3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.13W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23/21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4532ADY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31