Transistor canal N RJK5010, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 178W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Renesas Technology. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14