Transistor canal N RJH3047DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V

Transistor canal N RJH3047DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V

Quantité
Prix unitaire
1-4
16.22€
5-9
15.26€
10-24
14.08€
25+
12.94€
Quantité en stock: 15

Transistor canal N RJH3047DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Courant de collecteur: 35A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Ic(puls): 250A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: trr 0.1us. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Renesas Technology. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
RJH3047DPK
22 paramètres
Boîtier
TO-3PN ( 2-16C1B )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PSG
Tension collecteur/émetteur Vceo
330V
Courant de collecteur
35A
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
60W
Ic(puls)
250A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Spec info
trr 0.1us
Td(off)
60 ns
Td(on)
20 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.6V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
2.5V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
5V
Tension grille - émetteur VGE
30 v
Trr Diode (Min.)
23 ns
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
Renesas Technology