Transistor canal N RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 850pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: commande par niveau logique, protection ESD. Marquage sur le boîtier: F3055L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Harris. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14