Transistor canal N PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

Transistor canal N PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.76€
5-24
3.33€
25-49
2.81€
50+
2.52€
Produit obsolète, bientôt retiré du catalogue
En rupture de stock

Transistor canal N PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 4720pF. C (out): 456pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 118 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
PSMN035-150P
32 paramètres
Id (T=100°C)
36A
Id (T=25°C)
50A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
30 milliOhms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB ( SOT78 )
Tension Vds(max)
150V
C (in)
4720pF
C (out)
456pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
250W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
200A
Idss (min)
0.05uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(off)
79 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
'enhancement mode field-effect transistor'
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
118 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors