Transistor canal N PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. Id (T=100°C): 60.8A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 4900pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14