Transistor canal N PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 25V. C (in): 920pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 86W. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14