Transistor canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Transistor canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.45€
5-49
1.19€
50-99
1.01€
100+
0.91€
Quantité en stock: 363

Transistor canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 170A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Niko-semi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
P75N02LD
26 paramètres
Id (T=100°C)
50A
Id (T=25°C)
75A
Idss
25uA
Idss (maxi)
75A
Résistance passante Rds On
5M Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( D-PAK )
Tension Vds(max)
20V
C (in)
5000pF
C (out)
1800pF
Dissipation de puissance maxi
60W
Fonction
Mode d'amélioration du niveau logique
Id(imp)
170A
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
24 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
Transistor à effet de champ
Trr Diode (Min.)
37 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Niko-semi