Transistor canal N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 40A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Niko-semi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14